回顧功率器件的發展，從二極管到三極管，實現了從不可控到可控的飛躍；可控晶閘管的誕生打開了可控器件向大功率發展的大門，從此可控晶閘管統治著大功率器件市場。但可控晶閘管只能控制開通而不能控制關斷，限制了其在許多領域的發展。特別是在高頻領域，要求能高頻控制功率變換，從而提高功率變換裝置的效率，減小體積。雙極功率三極管(GTR)首先站了出來，隨著飽和壓降不斷降低和頻率提高，GTR在許多領域找到了用武之地。但是由于它的控制功率大(功率放大倍率較低)，保護設計復雜，器件存在二次擊穿等問題，因而應用無法快速推廣。隨著功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)的誕生和發展，MOSFET憑借微功率電壓控制特性和高頻率，迅速在中小功率變換領域發揮作用。但其通態電阻與電壓限制了它向高電壓應用發展。而這時絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的發明結合了MOSFET的電壓控制特性和GTR的飽和電壓特性，突破了兩類器件的限制，開始向大功率領域進軍。
另一方面，隨著功率器件的不斷進步，功率變換的應用領域不斷擴大，應用電路也越來越復雜，從單管控制斬波電路到兩管半橋電路，從四管H橋電路到六管三相逆變電路甚至多管開關電路。在主逆變電路功率器件增加的同時，對控制電路和驅動技術的要求也越來越高。雖然單個功率器件的效率越來越高、控制簡化，但電路的復雜性給使用者提出了新的要求。為便于客戶使用功率器件，功率模塊應運而生。它的設計目的是將功率器件的配置、散熱，乃至驅動問題在模塊中解決，為用戶提供易于使用、可靠的功率器件。
功率器件的驅動技術也走過從電流驅動到電壓驅動，光電轉換到高壓集成電路(HVIC)的發展階段。在雙極晶體管的電流驅動時代，由于損耗很大，為使模塊體積盡可能小，省略了驅動和保護電路，由客戶外配。但功率模塊的體積還是很大，雜散電感的影響也限制了其向高頻發展，這些缺陷限制了功率模塊的推廣和發展。IGBT取代雙極晶體管，使功率模塊得以飛速發展：首先由于采用電壓驅動，器件的驅動更易于實現，其次效率的提高使小型化成為可能。 HVIC技術的應用更是使驅動技術產生了質的飛躍，HVIC的主要特點是：單電源供電(光耦隔離必須4個電源供電)，溫度漂移小，延遲時間一致，高頻和小體積。驅動功率的不斷下降、驅動電路占位空間的大幅減小、頻率的提高，都有助于推動在一個模塊內集成驅動電路與功率器件。
近年來帶驅動和保護電路的智能功率模塊(IPM)相繼面市，如三菱的IPM模塊，用戶不必考慮器件的具體運行，只需設計系統控制部分和最優的結構。新型IPM模塊甚至將開關電源也設計在模塊內，更加方便用戶使用。這也是初期人們喜歡IPM模塊的主要原因。同時，器件制造商在提高器件的技術水平的同時，也在努力推出更系統化的模塊，如包括整流、逆變、驅動、保護和系統控制，甚至濾波、開關電源等的模塊。用戶只需要了解接口電路和定義，很快可以組成運行系統。
中國家電特別是變頻空調行業的OEM從零開始，現在已能完全獨立設計自己的產品，在功率變換模塊應用方面經歷了高集成度IPM模塊到分立器件的過程。說明我國對功率變換、特別是在功率變換在家電中的應用已經初步掌握。這是技術成熟的必經之路，這樣才能從整體上提高我們開發產品的能力。
從另一方面看，我們在掌握技術的同時，付出了昂貴的代價。如果將開發成本加到產品中，將失去價格優勢，因此業內又出現重新分工的趨勢：專業功率器件制造公司與空調OEM合作，共同開發高性能和低成本變頻空調。實際上美、日家電OEM一直采用這種市場機制，與有能力提供先進技術和最低成本的供應商合作，創造雙贏局面。雖然OEM在初期小批量采購時價格稍高，但相對于獨立開發而言，成本大幅度降低，大部分開發成本和風險都轉移到器件制造上。
